reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 2.5V, Gate-Source Spannung max

Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.9V, Höhe: 2.41mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 5
Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 750Ω ±1% / 0.125W, 0805 Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • KOA GS Keramik Widerstand, Axial 2MΩ ±1% / 5W

    KOA GS Keramik Widerstand, Axial 2MΩ ±1% / 5W

    : +125°C, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/K, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • KOA
    • Microchip Mikrocontroller PIC32MX PIC 32bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin 80MHz 12 kB, 32 kB RAM USB

    Microchip Mikrocontroller PIC32MX PIC 32bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin 80MHz 12 kB, 32 kB RAM USB

    : 2,3 → 3,6 V, A/D-Wandler Auflösung: 10bit, MPN: PIC32MX564F128H-I/PT.Microchip Mikrocontroller PIC32MX PIC 32bit SMD 128 KB TQFP 64-Pin 80MHz 12 kB, 32 kB RAM USB, USB-Kanäle: 1 x Host, 1 x OTG, A/D-Wandler Kanäle: 16, Versorgungsspannnung typ.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Prozessoren und Mikrocontroller
  • Mikrocontroller
  • Microchip
    • Micromotors P250 Bürsten-Getriebemotor bis 9 Nm 244.14:1, 24 V dc / 26,4 W, Wellen-Ø 10mm x 145.5mm

    Micromotors P250 Bürsten-Getriebemotor bis 9 Nm 244.14:1, 24 V dc / 26,4 W, Wellen-Ø 10mm x 145.5mm

    Micromotors P250 Bürsten-Getriebemotor bis 9 Nm 244.5mm, Abtriebsdrehzahl: 14 U/min, Getriebekopftyp: Planeten, Abmessungen: Ø 42 x 145,5 mm, Nennstrom: 1,1 A, Erfüllte Normen: ISO 9001:2008, MPN: P205-24-244.14:1, 24 V dc / 26,4 W, Wellen-Ø 10mm x 145.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Elektromotoren
  • Gleichstrommotoren
  • Micromotors
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW0603150KFKEA.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±1% / 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Telemecanique Sensors Telemecanique OsiSense XC Endschalter, Hebel, 2-polig, Schließer/Öffner, IP 65, Kunststoff, 3A

    Telemecanique Sensors Telemecanique OsiSense XC Endschalter, Hebel, 2-polig, Schließer/Öffner, IP 65, Kunststoff, 3A

    ): 250V, Schaltfunktion: Sprungkontakt, Länge: 72.: -25°C, Breite: 40mm, MPN: XCKS141.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Endschalter und Positionsschalter
  • Endschalter
  • Telemecanique Sensors
    • Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.5V 16-Pin QFN 6.9ns

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.5V 16-Pin QFN 6.9ns

    5ns, Polarität: Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 0.95mm, MPN: ISL55110IRZ-T7A.9ns, Anzahl der Ausgänge: 2, Anstiegszeit: 6.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Gate-Treiber
  • Renesas Electronics
    • Infineon CoolMOS CE IPD60R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,4 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.5V 16-Pin QFN 6.9ns

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.5V 16-Pin QFN 6.9ns

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.2ns, Topologie: Puffer, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Zeitverzögerung: 14.5V 16-Pin QFN 6.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Gate-Treiber
  • Renesas Electronics