reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

About The : 260 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 260 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.3mm, Länge: 15.8mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN
More Varieties

Rating :- 9.44 /10
Votes :- 8