IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 260 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.3mm, Länge: 15.8mm
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IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ28N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN | |
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