STMicroelectronics SCTH90 SCTH90N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: SiC
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STMicroelectronics SCTH90 SCTH90N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7
Specifications of STMicroelectronics SCTH90 SCTH90N65G2V-7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7 | |
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