Toshiba DTMOSIV TK16E60W5,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 230 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba DTMOSIV TK16E60W5,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Toshiba DTMOSIV TK16E60W5,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220 | |
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