reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon HEXFET IRFB3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFB3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.02mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFB3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRFB3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRFB3306PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220AB
More Varieties

Rating :- 9.57 /10
Votes :- 9