STMicroelectronics SCTH50N120-7 SCTH50N120-7 N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,065 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCTH50N120-7 SCTH50N120-7 N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
Specifications of STMicroelectronics SCTH50N120-7 SCTH50N120-7 N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7 | |
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