Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 5,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 30 V, Länge: 5.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 MA 1 W, 3-Pin TO-92
Specifications of Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 MA 1 W, 3-Pin TO-92 | |
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