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TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 NH 700mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz

About The 8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.5mm, Abmessungen: 1 x 0

TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 nH 700mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 140mΩ, Resonanzfrequenz max.: 5.8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MHQ1005P6N8JT000

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TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 NH 700mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz

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Specifications of TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 NH 700mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz

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