reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM

ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

About The : 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.3V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max

ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6

Category
Instockinstock

Last Updated

ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
More Varieties

Rating :- 9.62 /10
Votes :- 10