ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Zwei Sockel, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
Specifications of ROHM QS6J11 QS6J11TR P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6 | |
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