STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 650 V 115 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Nennleistung: 0.66mJ, Gate-Kapazität: 840pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: STGP10M65DF2
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STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V Max., 650 V 115 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
Specifications of STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V Max., 650 V 115 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal | |
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