Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0064 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.45V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH
Specifications of Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |