Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.45mm, MPN: IPP110N20N3 G
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Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP110N20N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
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