Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0024 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7
Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPB024N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |