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STMicroelectronics STripFET STS10P4LLF6 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC

About The : 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C

STMicroelectronics STripFET STS10P4LLF6 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of STMicroelectronics STripFET STS10P4LLF6 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC

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