reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba

Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP

About The : 12,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.3V, Gate-Schwellenspannung min

Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 12,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP
More Varieties

Rating :- 9.54 /10
Votes :- 5