Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.82mm, Länge: 15.87mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247 | |
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