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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi NJV4030PT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin

About The 7 x 3.: 2 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max

onsemi NJV4030PT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin, Verlustleistung max.: 2 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V dc, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Konfiguration: Single, Automobilstandard: AEC-Q101

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Specifications of Onsemi NJV4030PT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin

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Renesas Electronics Mikrocontroller S5D9 ARM Cortex M4 32bit SMD 2 MB LQFP 144-Pin 120MHz 640 kB RAM USB

Renesas Electronics Mikrocontroller S5D9 ARM Cortex M4 32bit SMD 2 MB LQFP 144-Pin 120MHz 640 kB RAM USB

Renesas Electronics Mikrocontroller S5D9 ARM Cortex M4 32bit SMD 2 MB LQFP 144-Pin 120MHz 640 kB RAM USB, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 32 bit, MPN: R7FS5D97E3A01CFB#AA0.

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    • Hirose HIF3BA Header, 2.54mm, 40-polig, 2-reihig 90°, Abgewinkelt,Lötanschluss, 1A

    Hirose HIF3BA Header, 2.54mm, 40-polig, 2-reihig 90°, Abgewinkelt,Lötanschluss, 1A

    54mm, 40-polig, 2-reihig 90°, Abgewinkelt,Lötanschluss, 1A, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Typ: Stiftleiste mit Auswurf, Betriebsspannung: 200 V ac, MPN: HIF3BA-40PA-2.54DS.Hirose HIF3BA Header, 2.

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    • Legrand Trennschalter 4-polig 63A Tafelmontage IP 65 25,2kW

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    Legrand Trennschalter 4-polig 63A Tafelmontage IP 65 25,2kW, MPN: 0 221 15.

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    Legrand Trennschalter 3-polig 20A Tafelmontage IP 65 8kW, MPN: 0 221 08.

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    Infineon IRF1407PbF IRF1407PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB

    : +175 °C.Infineon IRF1407PbF IRF1407PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 20 V, Länge: 10.

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    Infineon IRF1407PbF IRF1407PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 130 A 330 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.67mm, Betriebstemperatur max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    onsemi NJV4030PT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin, Verlustleistung max.7 x 1.

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