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Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223

About The Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ohm, Gate-Schwellenspannung max

Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ohm, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V

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Specifications of Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223

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