Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ohm, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon IPN80R1K2P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,5 A, 3-Pin SOT-223 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |