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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

About The : -20 V, +20 V, Länge: 2.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

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Specifications of DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

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MOXA Ethernet-Medienkonverter 50Mbit/s, Vollduplex, Multi Mode 5km 921.6kbit/s, Anschluss: RS232, RS422, RS485
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    MOXA Ethernet-Medienkonverter 50Mbit/s, Vollduplex, Multi Mode 5km 921.6kbit/s, Anschluss: RS232, RS422, RS485, MPN: ICF-1150I-M-SC-T.

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  • MOXA
    • Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 4.7MΩ 1% / 1W

    Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 4.7MΩ 1% / 1W

    7MΩ 1% / 1W, MPN: HHV1WSFT-73-4M7.Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 4.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
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  • Yageo
    • Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 100kΩ 5% / 1W

    Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 100kΩ 5% / 1W

    Yageo HHV Metallschichtwiderstand, Axial 100kΩ 5% / 1W, MPN: HHV1WSJT-52-100K.

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    • DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

    DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

    : 1V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.

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    DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

    : 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.05mm, Betriebstemperatur max.

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    • DiodesZetex Komparator AS393MTR-G1, Open Collector 1.3μs 2-Kanal SOIC 8-Pin 2 → 36 V
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  • Verstärker und Komparatoren
  • Komparatoren
  • DiodesZetex
    • DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

    DiodesZetex DMN2011UFDF DMN2011UFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 14,2 A 2,1 W, 6-Pin U-DFN2020

    05mm, Betriebstemperatur max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • DiodesZetex Komparator AS393MTR-G1, Open Collector 1.3μs 2-Kanal SOIC 8-Pin 2 → 36 V
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