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Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220

About The Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.67mm

Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 385 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.67mm

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Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220

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Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220
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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 49.9Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
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    STAHLWILLE 1/2 Zoll Standardbuchse Steckschlüsseleinsatz SW 19mm 12-Punkt x 38 mm

    STAHLWILLE 1/2 Zoll Standardbuchse Steckschlüsseleinsatz SW 19mm 12-Punkt x 38 mm, Metrisch oder zöllig: metrisch, Finish: Chrom, Antriebstyp: Vierkant, MPN: 03010019.

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    Infineon HEXFET IRFP4137PBF N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 38 A 341 W, 3-Pin TO-247AC

    : 69 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRFP4137PBF N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 38 A 341 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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    • KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 10μF ±10% / 50V dc, Gehäuse 1210 (3225M)
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    ITT Cannon Automotive, Kfz-Steckverbinder, Stecker, Stecker, 3-polig / 2-reihig, 13A, MPN: 132066-3106.

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    KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 4.7nF ±10% / 2kV dc, Gehäuse 1210 (3225M), AEC-Q200

    5mm, Betriebstemperatur max.KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 4.

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    Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.67mm.: 385 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Fairchild Semiconductor SupreMOS FCP9N60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 83,3 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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