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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 MA 250 MW, 6-Pin SOT-563

About The : ±7 V, Länge: 1.: 0

onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563, Drain-Source-Widerstand max.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.45V, Gate-Source Spannung max.: ±7 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 MA 250 MW, 6-Pin SOT-563

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Specifications of Onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 MA 250 MW, 6-Pin SOT-563

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Onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 MA 250 MW, 6-Pin SOT-563
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter

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Samtec HLE Leiterplattenbuchse Gerade 20-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

Samtec HLE Leiterplattenbuchse Gerade 20-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

54mm, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, MPN: HLE-120-02-G-DV-A.

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    • onsemi SMD Schottky Diode 2 Paar gemeinsame Kathode, 30V / 200mA, 3-Pin SOT-23

    onsemi SMD Schottky Diode 2 Paar gemeinsame Kathode, 30V / 200mA, 3-Pin SOT-23

    35V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 5ns, MPN: SBAT54CLT1G.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF2700.

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    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF2700.

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    onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563

    : ±7 V, Länge: 1.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23

    Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23

    Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23, MPN: BAS7004E6433HTMA1.

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    onsemi NTZD3154NT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563

    45V, Gate-Source Spannung max.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23

    Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23

    Infineon BAS70 SMD Schottky Diode, 70V / 70mA, 3-Pin SOT-23, MPN: BAS7004E6433HTMA1.

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