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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi FCH029N FCH029N65S3-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247

About The : 4.onsemi FCH029N FCH029N65S3-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

onsemi FCH029N FCH029N65S3-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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SMC SERVICE-SET CXS, CXSL20-PS

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SMC SERVICE-SET CXS, MPN: CXSL20-PS.

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    RS PRO Steckverbindergehäuse, PG29 x 2, Seiteneingang, SMD, IP65, Serie: H10B, Zur Verwendung mit: RS Pro Einsätze in robuster Ausführung und Kabelverschraubungen in PG- oder M, Anzahl Hebel: 4.

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    onsemi SMD SiC-Schottky Diode je 1 Paar gemeinsame Anode / Kathode, 650V / 8A, 5-Pin PQFN 8X8, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, MPN: FFSM0865B.

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    Honeywell Piezoresistiver Drucksensor, 206kPa 103kPa SMD 8-Pin SMD, MPN: SSCMANV015PGAA5.

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    38mm, Betriebstemperatur max.onsemi NJVNJD2873G SMD, NPN Transistor 50 V / 2 A 0,1 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.

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    : 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.

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    : 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si.onsemi FCH029N FCH029N65S3-F155 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.

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