reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
IGBT
Toshiba

Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

About The Toshiba IGBT / 30 A ±20V max.9 x 4

Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.9 x 4.8 x 20mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: GT30J121

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
More Varieties

Rating :- 9.69 /10
Votes :- 6