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Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC

About The Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SIHG21N80AEF-GE3

Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SIHG21N80AEF-GE3

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Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC

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Specifications of Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 16,3 A, 3-Pin TO-247AC

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