onsemi UniFET FDD7N25LZTM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 6,2 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 570 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
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Onsemi UniFET FDD7N25LZTM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 6,2 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi UniFET FDD7N25LZTM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 6,2 A 56 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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