Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQ4946CEY-T1_GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 7 A, 8-Pin SO-8 | |
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