Vishay EF Series SiHB28N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 123 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.83mm
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Vishay EF Series SiHB28N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay EF Series SiHB28N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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