STMicroelectronics MDmesh M2 STF12N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics MDmesh M2 STF12N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 STF12N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220FP | |
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