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Infineon IPP60R IPP60R022S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220

About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPP60R IPP60R022S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max

Infineon IPP60R IPP60R022S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon IPP60R IPP60R022S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon IPP60R IPP60R022S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-220

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