reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

About The : 18 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 18 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Polar IXFN140N20P N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
More Varieties

Rating :- 9.25 /10
Votes :- 5