onsemi FQB12P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,5 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 470 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi FQB12P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,5 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi FQB12P20TM P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,5 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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