Vishay SQ Rugged SQJ412EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 32 A 83 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay SQ Rugged SQJ412EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 32 A 83 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay SQ Rugged SQJ412EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 32 A 83 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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