Vishay MOSFET SIHD186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 201 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Vishay MOSFET SIHD186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHD186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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