Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 109 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,099 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4..5V, Serie: CoolMOS P6
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 109 A, TO-247 De 3 Pines, 2elementos
Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 109 A, TO-247 De 3 Pines, 2elementos | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated