Infineon MOSFET BSP296NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,2 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 800 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.8V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 1,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET BSP296NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,2 A, SOT-223 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSP296NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1,2 A, SOT-223 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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