Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 48 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.35V, Disipación de Potencia Máxima: 1,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -5 V, +5 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI3499DV-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 3,9 A, TSOP-6 de 6 pines,, config.
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Vishay MOSFET SI3499DV-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 3,9 A, TSOP-6 De 6 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SI3499DV-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 3,9 A, TSOP-6 De 6 Pines,, Config. Simple | |
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