Infineon MOSFET IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 De 3 Pines

5mm, Vida Útil: 5000h, Corriente de Pérdida: 99 μA, Corriente de Rizado: 460mA, MPN: UPV1A331MGD.

6W, Serie MRS25, Tecnología: Película Fina, Coeficiente de Temperatura: ±50ppm/°C, MPN: MRS25000C1802FCT00.

102mm, Terminado/Sin terminación: Sin terminación, Tensión Nominal: 60 V, Corriente Nominal: 0,5 A, Rango de Temperaturas de Funcionamiento: -40 → +105 °C, Cumple con los Estándares: Conformidad con RoHS, MPN: 150200079 Molex Cable plano FFC Premo-Flex, paso 0. 102mm.50mm, long.

25.6mm, Ø ext.

pasante, encapsulado DIP, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: LH1502BB Vishay Optoacoplador, Vf= 1.45V, mont. pasante, encapsulado DIP, 8 pines.

Microchip, SAM D21 Curiosity Nano, DM320, Clasificación: Kit de evaluación, Nombre del kit: SAM D21 Curiosity Nano Evaluation Kit, Tecnología: MCU de 32 bits, Núcleo del Dispositivo: ARM 32-bit Cortex-M4, MPN: DM320119.

Infineon MOSFET IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0052 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Serie: OptiMOS 5.

Bourns Diodo TVS Bidireccional, DO-214AA (SMB), Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 48.3V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: SMBJ30CA.4V, Tensión Mínima de Ruptura: 33.

8V, Serie: OptiMOS 5.Infineon MOSFET IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0052 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

Bourns Diodo TVS Bidireccional, DO-214AA (SMB), Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 48.4V, Tensión Mínima de Ruptura: 33.