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STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24256E-FMN6TP, 256kbit, 32k X, 8bit, Serie I2C, 450ns, 8 Pines SO8N

About The 6 → 5.5mm, Data Retention: 200año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24256E-FMN6TP, 256kbit, 32k x, 8bit, Serie I2C, 450ns, 8 pines SO8N, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 32 K x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,6 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Tensión de Programación: 1.6 → 5.5V, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, Data Retention: 200año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

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STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24256E-FMN6TP, 256kbit, 32k X, 8bit, Serie I2C, 450ns, 8 Pines SO8N

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Specifications of STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24256E-FMN6TP, 256kbit, 32k X, 8bit, Serie I2C, 450ns, 8 Pines SO8N

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STMicroelectronics AEC-Q100 Memoria EEPROM M24256E-FMN6TP, 256kbit, 32k X, 8bit, Serie I2C, 450ns, 8 Pines SO8N
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Murata Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100nF, ±10%, 250V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico

Murata Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100nF, ±10%, 250V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico

Murata Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100nF, ±10%, 250V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Paquete/Carcasa: 1210 (3225M), Serie: GRM, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: GRM32DR72E104KW01L.

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    Nexperia Y: AND de 2 entradas doble cuádruple, Quad TSSOP14 14 pines 2 No, MPN: 74HC08PW,118.

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    Infineon Transistor MOSFET, ID 13 A, PG-TO252-3, MPN: IPD78CN10NGATMA1.

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    Texas Instruments Regulador de tensión LM317MDCY, 500mA SOT-223, 3+Tab pines, Ajustable, Tipo de regulador: Tensión lineal, Tensión de Salida: 1,25 → 37 V, Regulación de Línea: 0,04%/V, Regulación de Carga: 0,5%, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Polaridad: Positivo, Tensión de Referencia: 1.

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