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Renesas Electronics

Renesas Electronics RZ/T2M De, Con Núcleo ARM Cortex

About The Renesas Electronics RZ/T2M de, con núcleo ARM Cortex, MPN: RTK9RZT2M0S00000BE

Renesas Electronics RZ/T2M de, con núcleo ARM Cortex, MPN: RTK9RZT2M0S00000BE

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Specifications of Renesas Electronics RZ/T2M De, Con Núcleo ARM Cortex

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Renesas Electronics RZ/T2M De, Con Núcleo ARM Cortex
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Yageo Resistencia SMD, 10Ω, ±1%, 0.05W, Película Fina, 0603 (1608M)

Yageo Resistencia SMD, 10Ω, ±1%, 0.05W, Película Fina, 0603 (1608M)

05W, Película Fina, 0603 (1608M), MPN: RT0603FRE0710RL.

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    • Texas Instruments Amplificador operacional TLE2142CP Precisión, 5 → 28 V 5.8MHZ PDIP, 8 pines
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    • Infineon MOSFET, VDSS 60 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

    Infineon MOSFET, VDSS 60 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

    0035 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Número de Elementos por Chip: 1, Serie: OptiMOS®-T2, MPN: IPD90N06S4L03ATMA2.Infineon MOSFET, VDSS 60 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.

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    • AVX Condensador de polímero, 22μF, 25V dc, Montaje en Superficie, encapsulado 1210 (3225M)

    AVX Condensador de polímero, 22μF, 25V dc, Montaje en Superficie, encapsulado 1210 (3225M)

    AVX Condensador de polímero, 22μF, 25V dc, Montaje en Superficie, encapsulado 1210 (3225M), Capacitancia: 22µF, Gama de material dieléctrico: Condensadores de tántalo, MPN: TCJB226M025R0150E.

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    • Linear Technology Amplificador operacional LT1214CN#PBF Bajo ruido, precisión, 3 → 28 V 26MHZ PDIP, 14 pines

    Linear Technology Amplificador operacional LT1214CN#PBF Bajo ruido, precisión, 3 → 28 V 26MHZ PDIP, 14 pines

    5V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ganancia de Tensión Típica: 118,6 dB, Dimensiones: 19.48 x 3.Linear Technology Amplificador operacional LT1214CN#PBF Bajo ruido, precisión, 3 → 28 V 26MHZ PDIP, 14 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 8.56 x 6.

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    • Deutsch Bloqueo de cuña Hembra para uso con Conector macho de 4 vías serie DT 4

    Deutsch Bloqueo de cuña Hembra para uso con Conector macho de 4 vías serie DT 4

    Deutsch Bloqueo de cuña Hembra para uso con Conector macho de 4 vías serie DT 4, MPN: W4S.

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    Renesas Electronics RZ/T2M de, con núcleo ARM Cortex

    Renesas Electronics RZ/T2M de, con núcleo ARM Cortex, MPN: RTK9RZT2M0S00000BE.

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    • ERNI Conector DIN 41612 macho Ángulo de 90° de 32 contactos serie PRESS, paso 2.54mm, 2 filas, clase C1, C2

    ERNI Conector DIN 41612 macho Ángulo de 90° de 32 contactos serie PRESS, paso 2.54mm, 2 filas, clase C1, C2

    54mm, 2 filas, clase C1, C2, Método de Terminación: Soldador, Carga de Fila: a/b, Tipo: B/2, Revestimiento del Contacto: Oro, Valor Nominal de Corriente: 2A, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Resistencia Máxima de Contacto: 20mΩ, Serie: ERNIPRESS, Material de la Carcasa: PBT, MPN: 384265 / 384265-E.ERNI Conector DIN 41612 macho Ángulo de 90° de 32 contactos serie PRESS, paso 2.

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    ERNI Conector DIN 41612 macho Ángulo de 90° de 32 contactos serie PRESS, paso 2.54mm, 2 filas, clase C1, C2, Método de Terminación: Soldador, Carga de Fila: a/b, Tipo: B/2, Revestimiento del Contacto: Oro, Valor Nominal de Corriente: 2A, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Resistencia Máxima de Contacto: 20mΩ, Serie: ERNIPRESS, Material de la Carcasa: PBT, MPN: 384265 / 384265-E.

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