reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
Semiconductores
Semiconductores Discretos
Diodos Schottky y Rectificadores
Vishay

Vishay Diodo, 1N5406-E3/54, 3A, 600V Conexión De Silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V

About The Vishay Diodo, 3A, 600V Conexión de silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Diámetro: 5

Vishay Diodo, 3A, 600V Conexión de silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Diámetro: 5.3mm, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 200A, MPN: 1N5406-E3/54

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

Vishay Diodo, 1N5406-E3/54, 3A, 600V Conexión De Silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

Specifications of Vishay Diodo, 1N5406-E3/54, 3A, 600V Conexión De Silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay Diodo, 1N5406-E3/54, 3A, 600V Conexión De Silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.2V
More Varieties
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
Semiconductores
Semiconductores Discretos

Rating :- 9.5 /10
Votes :- 9
Microchip Circuito integrado de controlador de carga de batería, CI de controlador de carga de batería, Ion litio, polímero de

Microchip Circuito integrado de controlador de carga de batería, CI de controlador de carga de batería, Ion litio, polímero de

Microchip Circuito integrado de controlador de carga de batería, CI de controlador de carga de batería, Ion litio, polímero de, Tipo de Batería: Ion litio, polímero de litio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Interfaz: Circuito integrado de controladores de carga de batería, Tipo de Encapsulado: MSOP, Conteo de Pines: 10, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 3,75 a 6 V.

  • Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
  • Semiconductores
  • Circuitos Integrados de Control de Alimentación
  • Gestión de Baterías
  • Microchip
    • Omron Fotocélula rectangular, Sistema Reflex, alcance 100 mm → 4 m, salida PNP, Cable de 3 hilos de 2 m., IP69K

    Omron Fotocélula rectangular, Sistema Reflex, alcance 100 mm → 4 m, salida PNP, Cable de 3 hilos de 2 m., IP69K

    , IP69K, Estilo de Sensor: Bloque, Tipo de Detección: Retrorreflectivo, Tensión DC Máxima: 30V, Fuente de la luz: LED, Corriente Máxima: 100 mA, Tiempo de Respuesta: 1 ms, Material de la Carcasa: Acero inoxidable, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +55°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25°C, Serie: E3ZM, MPN: E3ZM-R81 2M.Omron Fotocélula rectangular, Sistema Reflex, alcance 100 mm → 4 m, salida PNP, Cable de 3 hilos de 2 m.

  • Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica
  • Automatización y Control de Procesos
  • Sensores Industriales
  • Fotocélulas
  • Omron
    • Starrett Sierra de corona, HSS, piezas, diámetro 32mm

    Starrett Sierra de corona, HSS, piezas, diámetro 32mm

    Starrett Sierra de corona, HSS, piezas, diámetro 32mm, Husillo Incluido: No, Número de Piezas: 1, MPN: FCH0114.

  • Ferretería & Transmisión y Potencia Mecánica & Neumática Industrial
  • Herramienta Eléctrica y Soldadura
  • Brocas y Accesorios
  • Sierras de Corona y Fresas Huecas
  • Starrett
    • Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16

    Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16

    Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16, Número de Bits de Palabra: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 45ns, MPN: RMLV0416EGBG-4S2#AC0.

  • Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
  • Semiconductores
  • Chips de Memoria
  • Memorias SRAM
  • Renesas Electronics
    • Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16

    Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16

    Renesas Electronics SRAM, 4MB, 256K x 16, Número de Bits de Palabra: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 45ns, MPN: RMLV0416EGBG-4S2#AC0.

  • Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
  • Semiconductores
  • Chips de Memoria
  • Memorias SRAM
  • Renesas Electronics