Infineon MOSFET IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,111 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.7V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolSiC
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Infineon MOSFET IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 De 3 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 De 3 Pines | |
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