STMicroelectronics Transistor MOSFET STL26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 X 8 HV De 5 Pines,, Config. Simple

Wurth Elektronik Wurth, 2,2 μH ±20%, Ferrita de Manganeso-Zinc, SRF máxima:23MHZ, Idc:28A, MPN: 7443762504022.

ATEX.ATEX, Tipo de Barrera: Barrera galvánica, Tensión Máxima: 23,5V, Corriente Máxima: 80mA, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +60°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C, Rango de Temperatura de Funcionamiento: -20°C to 60°C, MPN: BXNE0500EE GEORGIN Fuente de alimentación intrínsecamente segura BXNE de 1 canal, 230V ac, certif.

Bourns Resistencia SMD, 180mΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M), Serie CRL, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: CRL0603-FW-R180ELF.

LAG Rueda de carro, Caucho, 150kg, Diámetro de Rueda: 100mm, Anchura de Rueda: 40mm, Diámetro del Orificio: 15mm, Tipo de Neumático: Sólido, Material de Buje: Poliamida, Características: Resistente a la Abrasión, Funcionamiento Silencioso, Amortiguador, Tipo de Rodamiento de Buje: Calibre Plano, Diámetro de Buje: 27mm, MPN: 30108B.

1mm, Dimensiones: 16.Wurth Elektronik Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 4,7 μH, ±20%, apantallado 1510, SRF:12MHZ, 17A Idc, Serie WE-XHMI, Longitud: 16.

Microchip Microcontrolador MCU PIC18F2431-E/SO, núcleo PIC, SOIC de 28 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial.

LT D, punta de 4. LT D, punta de 4.

Simple.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 215 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.

6 mm, para usar con WP 80, WSP 80, WXP 80.6 mm, para usar con WP 80, WSP 80, WXP 80 Weller Punta de soldadura tipo Destornillador, serie LT mod.LT D, punta de 4.

Simple.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C STMicroelectronics Transistor MOSFET STL26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines,, config.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 215 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.