Vishay Siliconix MOSFET SQ2364EES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
About The 46V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, Longitud: 3.Vishay Siliconix MOSFET SQ2364EES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines,, config
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.46V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C Vishay Siliconix MOSFET SQ2364EES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines,, config.
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Specifications of Vishay Siliconix MOSFET SQ2364EES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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