Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5.35mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Infineon MOSFET BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON de 8 pines,, config.
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Infineon MOSFET BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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