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IXYS MOSFET IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 26mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 480000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 21

Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 480000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 21.46mm, Longitud: 16.26mm IXYS MOSFET IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines,, config.

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Specifications of IXYS MOSFET IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple

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