Vishay Siliconix MOSFET SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 3.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Vishay Siliconix MOSFET SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Vishay Siliconix MOSFET SQS966ENW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines, 2elementos | |
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