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Wurth Elektronik

Wurth Elektronik Inductor De Bobinado Wurth, 0,09 μH ±20%, SRF Máxima:359MHZ, Q:226, Idc:30A, Rdc:1.21mΩ

About The 4mm, Serie: WE-AC HC, Diámetro del Pin: 2.4mm, Dimensiones: 11

Wurth Elektronik Inductor de bobinado Wurth, 0,09 μH ±20%, SRF máxima:359MHZ, Q:226, Idc:30A, Rdc:1.21mΩ, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Longitud: 11.5mm, Profundidad: 12mm, Altura: 10.4mm, Dimensiones: 11.5 x 12 x 10.4mm, Serie: WE-AC HC, Diámetro del Pin: 2.5 (Width)mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 7449152090

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Specifications of Wurth Elektronik Inductor De Bobinado Wurth, 0,09 μH ±20%, SRF Máxima:359MHZ, Q:226, Idc:30A, Rdc:1.21mΩ

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GE Módulo LED OP1000, Blanco, Ø ext.
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    • Dormer Broca cónica Aluminio, Acero, diámetro 5.6mm x 82 mm

    Dormer Broca cónica Aluminio, Acero, diámetro 5.6mm x 82 mm

    6mm x 82 mm, Serie: R454, Ángulo en la Punta: 140°, MPN: R4545.

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    • Nichia LED, Blanco, Vf= 3,1 V, 130 °, mont.

    Nichia LED, Blanco, Vf= 3,1 V, 130 °, mont.

    5mm, Color de la Lente: Transparente, MPN: NSPW570GS-K1 Nichia LED, Blanco, Vf= 3,1 V, 130 °, mont.pasante, encapsulado 5 mm (T-1 3/4), Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Intensidad Luminosa: 1,9 cd, Número de Pines: 2, Forma de la Lente: Redonda, Dimensiones: 5 x 5. pasante, encapsulado 5 mm (T-1 3/4).

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    • onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

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    • onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1. Simple.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

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