Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 32 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 33 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101 onsemi MOSFET NVMFS6H864NT1G, VDSS 80 V, ID 21 A, DFN de 5 pines, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET NVMFS6H864NT1G, VDSS 80 V, ID 21 A, DFN De 5 Pines, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET NVMFS6H864NT1G, VDSS 80 V, ID 21 A, DFN De 5 Pines, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated