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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
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MOSFET
Vishay Siliconix

Vishay Siliconix MOSFET SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24,5 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines,, Config. Simple

About The 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 55 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 55 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101 Vishay Siliconix MOSFET SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24,5 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines,, config.

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Specifications of Vishay Siliconix MOSFET SQJ872EP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 24,5 A, PowerPAK SO-8L De 4 Pines,, Config. Simple

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Rating :- 9.19 /10
Votes :- 6
JST Terminal redondo aislado de Cobre R, Azul, Ø int.

JST Terminal redondo aislado de Cobre R, Azul, Ø int.

6mm², 14AWG, Material de Aislamiento: Vinilo, Diámetro del Anillo Interno: 4.

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    • JST Terminal de lengüeta crimpada FVDWS1.25-AF2.3B(LF), No, AF, Aislado, long.

    JST Terminal de lengüeta crimpada FVDWS1.25-AF2.3B(LF), No, AF, Aislado, long.

    8mm, Diámetro Interno: 4mm, Anchura de la Hoja: 2.8mm JST Terminal de lengüeta crimpada FVDWS1.3B(LF), No, AF, Aislado, long.

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    • TDK AEC-Q200 Condensador cerámico multicapa MLCC,, 1.5μF, ±20%, 700V dc, Montaje en Superficie, PLZT dieléctrico

    TDK AEC-Q200 Condensador cerámico multicapa MLCC,, 1.5μF, ±20%, 700V dc, Montaje en Superficie, PLZT dieléctrico

    4mm, Profundidad: 9mm, Serie: CeraLink FA, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Tipo terminal: Soldadura, MPN: B58035U7155M052.5µF, Encapsulado: FA3, Dimensiones: 7.4 x 9 x 9.5μF, ±20%, 700V dc, Montaje en Superficie, PLZT dieléctrico, Capacitancia: 1.

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    • Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

    Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

    Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,8 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Serie: CoolMOS CE.

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    Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

    Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,8 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Serie: CoolMOS CE.

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