STMicroelectronics Microcontrolador STM32F429BIT6, Núcleo ARM Cortex-M4 De 32bit, RAM 256 KB, 180MHZ, LQFP De 208 Pines

Goliath, MPN: EL170DDR-13.

33mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -65°C, MPN: MPT35C82RF.TE Connectivity Resistencia fijada en orificio pasante Radial 1%, 35W, Serie MPT, Resistencia: 82Ω, Composición: Película gruesa, Tecnología: Película de Potencia, Encapsulado: TO220, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Paso del Pin: 5.

3.20.

33mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -65°C, MPN: MPT35C39RF.TE Connectivity Resistencia fijada en orificio pasante Radial 1%, 35W, Serie MPT, Composición: Película gruesa, Tecnología: Película de Potencia, Paquete/Carcasa: TO220, Paso del Pin: 5.

TE Connectivity Resistencia fijada en orificio pasante Radial 1%, 35W, Serie MPT, Resistencia: 39Ω, Composición: Película gruesa, Tecnología: Película de Potencia, Encapsulado: TO220, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Paso del Pin: 5.

6mm, 204 contactos, Ángulo de 90°, DDR3, 1,5 V, Género: Hembra, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Revestimiento del Contacto: Oro sobre Níquel, Método de Terminación: Soldador, Material de la Carcasa: Termoplástico, MPN: 2-2013289-1.TE Connectivity Zócalo DIMM, 0.

STMicroelectronics Microcontrolador STM32F429BIT6, núcleo ARM Cortex-M4 de 32bit, RAM 256 kB, 180MHZ, LQFP de 208 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 2,048 MB.

Siemens Fusible, NH1, gG, 500V, 40A, Tipo de Fusible: LV HRC, MPN: 3NA6117.

STMicroelectronics Microcontrolador STM32F429BIT6, núcleo ARM Cortex-M4 de 32bit, RAM 256 kB, 180MHZ, LQFP de 208 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 2,048 MB.

Siemens Fusible, NH1, gG, 500V, 40A, Tipo de Fusible: LV HRC, MPN: 3NA6117.